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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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77N6F6-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 77N6F6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、77N6F6-VB 產(chǎn)品簡介

77N6F6-VB 是一款由 VBsemi 公司推出的高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-220。該 MOSFET 具有 60V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),具有 3V 的柵極閾值電壓 (Vth)。其低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 5 毫歐姆 (mΩ) 在 VGS = 10V 條件下,可以提供高達(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。該器件采用 Trench 技術(shù)制造,具有優(yōu)良的導(dǎo)通和關(guān)斷特性,適用于多種高功率應(yīng)用場景。

### 二、77N6F6-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型 (Package)**: TO-220
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ (VGS = 10V)
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù) (Technology)**: Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

77N6F6-VB MOSFET 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電動汽車 (EV) 驅(qū)動系統(tǒng)**:77N6F6-VB 在電動汽車的驅(qū)動系統(tǒng)中可以作為主功率開關(guān)器件使用,能夠高效地處理大電流,提升車輛的整體性能和能效。

2. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,該 MOSFET 可用于直流到交流的轉(zhuǎn)換過程中,因其低導(dǎo)通電阻,能夠減少能量損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。

3. **開關(guān)電源 (SMPS)**:77N6F6-VB 在開關(guān)電源中,作為高頻開關(guān)器件使用,其快速開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗,有助于提高電源的整體效率和性能。

4. **電機(jī)控制**:該 MOSFET 適用于高功率電機(jī)控制應(yīng)用中,如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、家電中的壓縮機(jī)和風(fēng)扇控制等,能夠提供高效的電流處理和控制能力。

5. **不間斷電源 (UPS)**:在 UPS 系統(tǒng)中,77N6F6-VB 作為主功率開關(guān)使用,其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,能夠確保系統(tǒng)在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定性和高效性。

通過這些例子可以看出,77N6F6-VB 是一款性能優(yōu)越、適用面廣的 MOSFET,適合多種高功率應(yīng)用場景,能為各類電子設(shè)備和系統(tǒng)提供可靠的功率處理解決方案。

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