### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi 7N40G-TA3-T-VB 是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET，采用TO220封裝。該器件適用于需要高耐壓和低功率損耗的應(yīng)用場(chǎng)合，通過Plannar技術(shù)設(shè)計(jì)，提供可靠的性能和穩(wěn)定的工作特性。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                 | 數(shù)值                |
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| 封裝類型             | TO220               |
| 配置                 | 單N溝道             |
| 漏源電壓 (VDS)       | 500V                |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V                |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.1V                |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 660mΩ @ VGS=10V     |
| 連續(xù)漏極電流 (ID)    | 13A                 |
| 技術(shù)                 | Plannar             |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **工業(yè)電力控制**：
  - 7N40G-TA3-T-VB 可以應(yīng)用于工業(yè)電力控制系統(tǒng)中的高壓開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器。其高耐壓特性和穩(wěn)定的導(dǎo)通特性能夠確保設(shè)備在高電壓和大電流條件下的安全運(yùn)行，適合工廠自動(dòng)化和機(jī)械設(shè)備控制。

2. **電動(dòng)化工程**：
  - 在電動(dòng)化工程中，如電動(dòng)車充電樁和電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)，這款MOSFET可以用于直流-直流轉(zhuǎn)換器和高壓開關(guān)電路。其低導(dǎo)通電阻和高效率的能量轉(zhuǎn)換能力有助于提高充電效率和延長(zhǎng)電池壽命。

3. **電源逆變器**：
  - 在太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源的電源逆變器中，7N40G-TA3-T-VB 可以用作高壓開關(guān)管，用于電網(wǎng)連接逆變和電能存儲(chǔ)系統(tǒng)。其優(yōu)異的耐壓性和低損耗設(shè)計(jì)有助于提高能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)可靠性。

4. **高頻開關(guān)電源**：
  - 該器件還適用于高頻開關(guān)電源和電源分配單元，如通信設(shè)備的功率放大器和基站電源管理。其快速響應(yīng)和低開關(guān)損耗使其成為提高通信設(shè)備效能和可靠性的理想選擇。

通過這些應(yīng)用示例，可以看出 VBsemi 7N40G-TA3-T-VB 在高壓、低功耗要求的多種應(yīng)用場(chǎng)景中具有廣泛的適用性和優(yōu)異的性能表現(xiàn)。