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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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7N60M2-VB一款Single-N溝道T2O20F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 7N60M2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 T2O20F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 7N60M2-VB TO220F MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

7N60M2-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用平面技術(shù)制造,適用于高壓和高功率應(yīng)用場(chǎng)合。其封裝為 TO220F,具備良好的散熱性能和可靠性。這款 MOSFET 在 650V 的漏源電壓 (VDS) 下工作,柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 約為 3.5V。具有較高的導(dǎo)通電阻和適中的漏極電流能力,適合用于需要處理大電流和高壓的應(yīng)用。

### 7N60M2-VB TO220F 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面 (Plannar)

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 電源逆變器
7N60M2-VB TO220F 可以廣泛應(yīng)用于電源逆變器和交流變直流的轉(zhuǎn)換器中。其高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,使其成為逆變器電路中的理想選擇,能夠穩(wěn)定高壓和高功率的輸出,提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

#### 汽車電子
在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,需要能夠承受高電壓和電流的功率開關(guān)器件。7N60M2-VB TO220F 的650V 漏源電壓和7A 的漏極電流能力,能夠有效地控制電流并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性,適用于電動(dòng)汽車的驅(qū)動(dòng)電機(jī)和電池管理系統(tǒng)。

#### 太陽能逆變器
在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,逆變器需要能夠穩(wěn)定地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。7N60M2-VB TO220F 的高電壓和適中的電流能力,使其成為太陽能逆變器中的理想選擇,能夠提供可靠的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力輸出。

#### 工業(yè)控制設(shè)備
在工業(yè)領(lǐng)域,特別是需要高壓輸出的電源模塊和電機(jī)控制系統(tǒng)中,7N60M2-VB TO220F 可以提供穩(wěn)定的高壓輸出,并通過其低導(dǎo)通電阻減少能量損耗,適用于各種工業(yè)設(shè)備的電源管理和控制。

7N60M2-VB TO220F 是一款適用于高壓和高功率應(yīng)用的 MOSFET,能夠在各種工業(yè)和電源管理場(chǎng)合中提供優(yōu)異的性能和可靠性。

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