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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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7N80H-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 7N80H-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 7N80H-VB TO220 MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

7N80H-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用平面技術(shù)制造,適用于高壓和高功率應(yīng)用場(chǎng)合。其封裝為 TO220,具備良好的散熱性能和可靠性。這款 MOSFET 在 850V 的漏源電壓 (VDS) 下工作,柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 約為 3.5V。具有較高的導(dǎo)通電阻和適中的漏極電流能力,適合用于需要處理大電流和高壓的應(yīng)用。

### 7N80H-VB TO220 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝形式**:TO220
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:850V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:6A
- **技術(shù)**:平面 (Plannar)

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 高壓電源模塊
7N80H-VB TO220 可以應(yīng)用于各種需要高電壓輸出的電源模塊中,例如電源逆變器和高壓穩(wěn)定器。其850V 的漏源電壓和良好的導(dǎo)通電阻特性,能夠穩(wěn)定輸出高壓并提供可靠的電源供應(yīng),適用于工業(yè)設(shè)備和電力系統(tǒng)中的高壓電源管理。

#### 電動(dòng)車充電樁
在電動(dòng)車充電樁中,需要能夠承受高電壓和電流的功率開關(guān)器件。7N80H-VB TO220 的850V 漏源電壓和6A 的漏極電流能力,使其成為電動(dòng)車充電樁中的理想選擇,能夠有效地控制電流并確保充電過程的安全和穩(wěn)定性。

#### 太陽(yáng)能逆變器
在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,逆變器需要能夠穩(wěn)定地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。7N80H-VB TO220 的高電壓和適中的電流能力,使其成為太陽(yáng)能逆變器中的理想選擇,能夠提供可靠的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力輸出。

#### 高壓工業(yè)控制設(shè)備
在工業(yè)控制和電源管理領(lǐng)域,特別是需要穩(wěn)定高壓輸出的應(yīng)用中,7N80H-VB TO220 可以提供可靠的高壓開關(guān)功能。其平面技術(shù)和低導(dǎo)通電阻特性,使其在各種工業(yè)設(shè)備的電源管理和控制中表現(xiàn)出色。

7N80H-VB TO220 是一款適用于高壓和高功率應(yīng)用的 MOSFET,具備優(yōu)異的性能和可靠性,適合各種工業(yè)和電源管理場(chǎng)合的應(yīng)用需求。

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