### 一、產(chǎn)品簡介

VBsemi 80N04UG-VB 是一款低壓單N溝道MOSFET，采用TO263封裝。該器件通過Trench技術設計，具有低導通電阻和高電流承載能力，適用于高性能電源管理和開關應用。

### 二、詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                 | 數(shù)值                |
|----------------------|---------------------|
| 封裝類型             | TO263               |
| 配置                 | 單N溝道             |
| 漏源電壓 (VDS)       | 40V                 |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V                |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3V                  |
| 導通電阻 (RDS(ON))   | 2.5mΩ @ VGS=4.5V    |
| 導通電阻 (RDS(ON))   | 2mΩ @ VGS=10V       |
| 連續(xù)漏極電流 (ID)    | 150A                |
| 技術                 | Trench              |

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電動汽車和電池管理**：
  - 80N04UG-VB 可以用作電動汽車的電動機控制器和電池管理系統(tǒng)中的電源開關。其低導通電阻和高電流承載能力有助于提升電動車輛的動力性能和能效。

2. **工業(yè)高功率電源**：
  - 在工業(yè)設備和高功率電源模塊中，這款MOSFET可以應用于高效的電力開關和電源管理，如工業(yè)UPS（不間斷電源）、變流器和高頻開關電源。

3. **服務器和數(shù)據(jù)中心設備**：
  - 在數(shù)據(jù)中心的電源供應單元和服務器電源管理中，80N04UG-VB 可以用于提供高效能和可靠性的功率轉(zhuǎn)換和管理，確保設備的穩(wěn)定運行和低能耗。

4. **電源逆變器和太陽能應用**：
  - 由于其高電流承載能力和低導通電阻，該MOSFET適用于電源逆變器、太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，幫助提高能源利用效率和系統(tǒng)可靠性。

通過以上示例，可以看出 VBsemi 80N04UG-VB 在多個領域中都具有廣泛的應用潛力，特別是在需要高功率和高性能電源管理的應用環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。