### 8N60H-VB MOSFET 產品簡介

8N60H-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 Plannar 技術制造，封裝為 TO220。該器件具有高達600V 的漏源電壓 (VDS) 能力，適合于中等電壓電路設計。它的柵源電壓 (VGS) 為 ±30V，閾值電壓 (Vth) 約為 3.5V。在 VGS=10V 時，導通電阻 (RDS(ON)) 為780mΩ，漏極電流 (ID) 最大可達8A。這些特性使得該器件在需要處理中等電壓和適度電流的應用中表現(xiàn)優(yōu)秀。

### 8N60H-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝形式**：TO220
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：600V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 1070mΩ @ VGS=4.5V
 - 780mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：8A
- **技術**：Plannar

### 適用領域和模塊舉例

#### 電源供應和開關電源
8N60H-VB TO220 MOSFET 在電源供應和開關電源中應用廣泛。例如，在開關電源中，它可以用于開關調節(jié)器和直流-直流轉換器，確保高效能源轉換和電源穩(wěn)定性。

#### 工業(yè)自動化控制
該器件適用于工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中的電力開關和驅動器。它可以用于工業(yè)機器人控制、電動機驅動和工業(yè)自動化設備的電源管理，提高系統(tǒng)的響應速度和能效。

#### 照明和LED驅動
在照明應用中，8N60H-VB 可以用于LED驅動器和照明控制系統(tǒng)中，幫助實現(xiàn)高效能源轉換和燈光調節(jié)功能，提高照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

以上例子展示了該型號 MOSFET 在不同領域和模塊中的多樣應用，說明其適應性和性能優(yōu)勢，能夠滿足多種工程設計需求。