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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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8NM50N-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 8NM50N-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 8NM50N-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

8NM50N-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 Plannar 技術(shù)制造,封裝為 TO220。它具有高達(dá)500V 的漏源電壓 (VDS) 能力,適合于中等電壓應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)。該器件的柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 約為 3.1V。在 VGS=10V 時(shí),導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為660mΩ,漏極電流 (ID) 最大可達(dá)13A。這些特性使得該器件在需要處理中等電壓和較大電流的應(yīng)用中具有優(yōu)越的性能。

### 8NM50N-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝形式**:TO220
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:500V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.1V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 660mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 電源供應(yīng)和開(kāi)關(guān)電路
8NM50N-VB TO220 MOSFET 在電源供應(yīng)和開(kāi)關(guān)電路中具有廣泛的應(yīng)用。例如,它可以用于開(kāi)關(guān)電源電路、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力適配器,提供高效的電力轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。

#### 照明控制
在 LED 照明和工業(yè)照明系統(tǒng)中,該器件可用于驅(qū)動(dòng)電路、照明控制單元和調(diào)光系統(tǒng),支持節(jié)能和高效的照明解決方案。

#### 電動(dòng)工具和汽車電子
8NM50N-VB 適用于電動(dòng)工具、汽車電子和電動(dòng)車輛中的功率開(kāi)關(guān)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制。它能夠處理動(dòng)態(tài)負(fù)載和高功率需求,保證設(shè)備和車輛的穩(wěn)定性和可靠性。

以上例子展示了該型號(hào) MOSFET 在多種領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用,說(shuō)明其在高壓、高功率環(huán)境下的優(yōu)越性能和廣泛適用性。

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