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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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926AE-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 926AE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 926AE-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡介
926AE-VB 是一款具有雙N溝道共源極配置的MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。該器件設(shè)計(jì)緊湊,封裝為TSSOP8,適合在空間有限的電路板設(shè)計(jì)中使用。它具有低導(dǎo)通電阻和適中的漏源電壓,非常適合要求較低功耗和中等電流處理能力的應(yīng)用場合。

#### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 926AE-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 雙N溝道共源極
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 32mΩ @ VGS=2.5V
 - 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術(shù)**: Trench

#### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

926AE-VB MOSFET 由于其雙N溝道共源極配置和適中的電特性,適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:在低功耗的電源管理系統(tǒng)中,如便攜設(shè)備、無線傳感器網(wǎng)絡(luò)(WSN)節(jié)點(diǎn)和移動(dòng)設(shè)備,提供高效能轉(zhuǎn)換和電池壽命延長的功能。
  
2. **音頻放大**:在音頻放大器的輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)中,可以用于提供低失真、高效率的音頻輸出,適用于便攜式音響和耳機(jī)放大器。

3. **消費(fèi)電子**:適用于小型家電、電動(dòng)工具和LED照明驅(qū)動(dòng),提供可靠的電源開關(guān)和電流控制。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:在傳感器接口、電動(dòng)執(zhí)行器和工業(yè)控制系統(tǒng)中,用于高速開關(guān)和電流控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和效率。

926AE-VB 結(jié)合了小型封裝和優(yōu)良的電性能,使其成為多種現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的理想選擇,特別是在空間和功耗有限的應(yīng)用場景下表現(xiàn)突出。

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