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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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9435S-VB一款Single-P溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 9435S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9435S-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

9435S-VB 是一款單 P 溝道功率 MOSFET,采用 TO263 封裝。該器件具有 -30V 的漏源電壓(VDS),最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -2.5V。9435S-VB 采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時(shí)為 11mΩ,在 VGS=10V 時(shí)為 8mΩ。最大連續(xù)漏極電流(ID)為 -75A,表明其能夠承受大電流的負(fù)載。

#### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:TO263
- **配置**:?jiǎn)?P 溝道
- **漏源電壓(VDS)**:-30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時(shí):11mΩ
 - VGS=10V 時(shí):8mΩ
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**:-75A
- **技術(shù)類(lèi)型**:溝槽技術(shù)

#### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

9435S-VB MOSFET 適用于多種電子系統(tǒng)和模塊,特別是:

- **電源管理**:可用于電源開(kāi)關(guān)和反向電流保護(hù)模塊,在需要反向電壓保護(hù)的電路中起到關(guān)鍵作用。
- **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的電源管理和電流控制中,特別是需要負(fù)載的高電流應(yīng)用。
- **電動(dòng)車(chē)輛(EV)和混合動(dòng)力車(chē)輛(HEV)**:用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和電源管理系統(tǒng),確保高效的能量轉(zhuǎn)換和電動(dòng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
- **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源分配模塊和驅(qū)動(dòng)器中,提供穩(wěn)定和可靠的電力輸出。

以上示例展示了 9435S-VB MOSFET 在需要高功率、低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定性能轉(zhuǎn)換的各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中的重要應(yīng)用。

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