### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì)

VBsemi MOSFET 9563GJ-VB 是一款封裝為T(mén)O251的單P溝道型MOSFET。具有以下主要特性：

- **VDS (漏極-源極電壓)**: -40V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門(mén)槽電壓閾值)**: -2V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通時(shí)漏極-源極電阻)**:
 - 14mΩ @ VGS=4.5V
 - 10mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: -55A (負(fù)數(shù)表示P溝道MOSFET的漏極電流方向)
- **技術(shù)**: 溝道型

### 2. 參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO251
- **電壓參數(shù)**:
 - 最大漏極-源極電壓 (VDS): -40V
 - 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數(shù)**:
 - 閾值電壓 (Vth): -2V
 - 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):
   - 14mΩ @ VGS=4.5V
   - 10mΩ @ VGS=10V
- **電流參數(shù)**:
 - 最大漏極電流 (ID): -55A
- **技術(shù)**: Trench 溝道技術(shù)

### 3. 應(yīng)用示例

9563GJ-VB MOSFET 適用于多種領(lǐng)域和模塊，例如：

- **電源管理**: 在負(fù)電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器中，提供高效的負(fù)電壓調(diào)節(jié)和電流控制。
- **電池保護(hù)**: 在負(fù)電壓電池管理系統(tǒng)中，用于電池充放電保護(hù)和管理。
- **功率逆變**: 在負(fù)電壓功率逆變器中，用于電源開(kāi)關(guān)和功率調(diào)節(jié)。

這些示例展示了9563GJ-VB MOSFET 在負(fù)電壓電源管理、電池保護(hù)和功率逆變等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用。