### 1. 產品簡介詳細

VBsemi MOSFET 963B-VB 是一款封裝為TSSOP8的雙P+P-溝道型MOSFET。具有以下主要特性：

- **VDS (漏極-源極電壓)**: -30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門槽電壓閾值)**: -1.7V
- **RDS(ON) (導通時漏極-源極電阻)**:
 - 55mΩ @ VGS=4.5V
 - 36mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: -5.2A (負數(shù)表示P溝道MOSFET的漏極電流方向)
- **技術**: Trench 溝道技術

### 2. 參數(shù)說明

- **封裝**: TSSOP8
- **電壓參數(shù)**:
 - 最大漏極-源極電壓 (VDS): -30V
 - 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數(shù)**:
 - 閾值電壓 (Vth): -1.7V
 - 導通電阻 (RDS(ON)):
   - 55mΩ @ VGS=4.5V
   - 36mΩ @ VGS=10V
- **電流參數(shù)**:
 - 最大漏極電流 (ID): -5.2A
- **技術**: Trench 溝道技術

### 3. 應用示例

963B-VB MOSFET 可以在以下領域和模塊中發(fā)揮作用：

- **電池保護**: 在便攜設備和電動工具的電池保護電路中，用于過放電保護和電池管理，確保電池的安全使用和長壽命。
- **電源管理**: 在低電壓電源管理系統(tǒng)中，用于功率開關和電流控制，提供高效能的能量轉換和穩(wěn)定的電壓輸出。
- **手機和平板電腦**: 在移動設備中，用于電池充電和功率管理模塊，延長電池使用時間并提高設備性能。
- **便攜式消費電子產品**: 在便攜式音頻設備和智能手表中，用于電池優(yōu)化和功率管理，實現(xiàn)更長的續(xù)航時間和更高的性能。

以上示例展示了963B-VB MOSFET 在電池保護、電源管理、移動設備和便攜式消費電子產品中的應用場景。