### 9912J-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

9912J-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Trench技術(shù)，封裝為TO251。具有優(yōu)秀的導通特性和低導通電阻，適用于需要高效能轉(zhuǎn)換和電源管理的應用場合。

### 9912J-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術(shù)**: Trench

### 9912J-VB MOSFET 應用領域和模塊示例

9912J-VB MOSFET適用于多種需要高效能轉(zhuǎn)換和電源管理的領域和模塊。以下是一些應用示例：

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  - **直流-直流轉(zhuǎn)換器**: 在電源轉(zhuǎn)換器中用于高效能的直流電壓轉(zhuǎn)換，如筆記本電腦適配器和電池充電管理。
  - **開關電源**: 在各種電子設備的開關電源中，提供穩(wěn)定的電源管理和高效的電能轉(zhuǎn)換。

2. **電動工具**:
  - **電動工具控制**: 用于電動工具和電動車輛的電機驅(qū)動控制，支持高功率輸出和能量回收系統(tǒng)。

3. **汽車電子**:
  - **車載電子系統(tǒng)**: 在汽車電子中，用于動力管理和電動汽車的電池管理系統(tǒng)，支持高效率的動力轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動控制。

9912J-VB MOSFET通過其優(yōu)異的導通特性和高電流容量，能夠滿足多種復雜電子和電氣設備的功率管理需求，是現(xiàn)代高效能轉(zhuǎn)換電路設計的理想選擇。