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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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9N70G-TA3-T-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 9N70G-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳

**9N70G-TA3-T-VB MOSFET**

9N70G-TA3-T-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO-220封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。具有較高的漏極電壓和適中的電流處理能力,適合需要穩(wěn)定性和耐高壓的電源開關(guān)和驅(qū)動應(yīng)用。

### 詳細(xì)的參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-220
- **晶體管配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 700V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI(多重外延技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源開關(guān)器件**:
9N70G-TA3-T-VB適用于各種高壓電源開關(guān)和逆變器應(yīng)用。例如,它可以用于工業(yè)電源單元和電動車充電器中,確保高效能和高穩(wěn)定性的電源轉(zhuǎn)換和控制。

**電動車充電器**:
在電動車充電器的設(shè)計中,9N70G-TA3-T-VB能夠承受高壓輸出和快速充電需求。其高壓耐受特性和適中的電流能力使其成為電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的關(guān)鍵組件之一。

**工業(yè)高壓驅(qū)動**:
在工業(yè)自動化設(shè)備中,特別是需要高壓驅(qū)動的電動機(jī)控制和傳動系統(tǒng)中,9N70G-TA3-T-VB可以作為電源開關(guān)器件。其穩(wěn)定的性能和高壓容忍度確保了設(shè)備的長期可靠運行。

**逆變器和UPS**:
在逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,9N70G-TA3-T-VB能夠提供可靠的電源轉(zhuǎn)換和高效率的能量管理。其高電壓耐受和適中的電流特性使其成為逆變器電路中的理想選擇,支持各種應(yīng)急電源需求。

綜上所述,9N70G-TA3-T-VB MOSFET因其高壓耐受和穩(wěn)定的性能,在各種高壓應(yīng)用場景中都能夠提供可靠的功率開關(guān)解決方案,為工業(yè)、電動車輛和電力電子設(shè)備等領(lǐng)域提供重要支持。

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