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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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9R1K2C-VB TO220F一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 9R1K2C-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9R1K2C-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

9R1K2C-VB 是一款單 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。它支持高達(dá) 900V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。采用了 SJ_Multi-EPI 技術(shù),該 MOSFET 在 VGS = 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 770mΩ,最大漏極電流 (ID) 為 7A。這使得它適用于需要高電壓和適中電流的功率控制和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 9R1K2C-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 9R1K2C-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 770mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  9R1K2C-VB 可用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,如開(kāi)關(guān)電源和逆變器。其能夠處理高達(dá) 900V 的電壓,并提供穩(wěn)定的電力輸出和高效能的能量轉(zhuǎn)換,適用于工業(yè)和電力系統(tǒng)中的電源管理單元。

2. **電動(dòng)車(chē)充電器**:
  在電動(dòng)車(chē)充電系統(tǒng)中,該型號(hào)的 MOSFET 可用作高壓直流充電樁的電源開(kāi)關(guān)和電流控制器。其高電壓承受能力和穩(wěn)定性能確保了電動(dòng)車(chē)輛充電過(guò)程中的安全和高效率。

3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,9R1K2C-VB 可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電流控制單元,特別是需要高電壓和適中電流的應(yīng)用場(chǎng)景。其能夠提供可靠的電機(jī)控制和功率開(kāi)關(guān)功能。

4. **電力逆變器**:
  在可再生能源系統(tǒng)和電力逆變器中,該型號(hào)的 MOSFET 可用于轉(zhuǎn)換直流電能為交流電能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能轉(zhuǎn)換。

通過(guò)以上示例可以看出,9R1K2C-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域中都具有廣泛的應(yīng)用,特別適合需要處理高壓和適中電流的功率控制和開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。

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