### 產(chǎn)品簡介詳

**9R1K2C-VB MOSFET**

9R1K2C-VB是一款高壓單N溝道MOSFET，采用TO-247封裝，適用于需要高電壓耐受和中等電流處理能力的應(yīng)用場合。采用SJ_Multi-EPI（多重外延技術(shù)），結(jié)合了高電壓特性和低導(dǎo)通電阻，為電源管理和開關(guān)電路提供穩(wěn)定性和高效率。

### 詳細(xì)的參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-247
- **晶體管配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術(shù)類型**: SJ_Multi-EPI（多重外延技術(shù)）

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**工業(yè)高壓電源**:
9R1K2C-VB適合用作工業(yè)高壓電源中的開關(guān)元件，能夠在高壓和高電流的環(huán)境下穩(wěn)定工作，例如工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和高壓電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)。

**電網(wǎng)逆變器**:
在電力電子設(shè)備中，特別是電網(wǎng)逆變器系統(tǒng)中，9R1K2C-VB的高電壓耐受和低導(dǎo)通電阻特性使其成為轉(zhuǎn)換電力和提供穩(wěn)定電壓的重要組成部分。

**醫(yī)療設(shè)備**:
在需要高效能和穩(wěn)定性能的醫(yī)療設(shè)備中，例如高壓X射線發(fā)生器和核磁共振設(shè)備中，9R1K2C-VB可以提供可靠的功率開關(guān)控制，確保設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性和安全性。

**電動(dòng)車充電設(shè)施**:
在電動(dòng)車充電設(shè)施中，特別是需要高功率充電和快速充電的場合，9R1K2C-VB能夠承受高壓和高電流，提供可靠的電源開關(guān)和電流控制。

綜上所述，9R1K2C-VB MOSFET因其高壓耐受和優(yōu)異的導(dǎo)通特性，在多種高壓電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用中都能發(fā)揮關(guān)鍵作用，為各種領(lǐng)域的電子設(shè)備和系統(tǒng)提供可靠的功率解決方案。