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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AFN7400S32RG-VB一款Single-N溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AFN7400S32RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-3
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### AFN7400S32RG-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AFN7400S32RG-VB 是一款單 N-Channel MOSFET,采用 SC70-3 封裝。它支持最大 20V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±12V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 在 0.5~1.5V 范圍內(nèi)可調(diào)。采用 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在不同柵源電壓下的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 分別為:
- 48mΩ @ VGS = 2.5V
- 40mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V

最大漏極電流 (ID) 為 4A。這使得它適用于需要高效能和低電阻的電子設(shè)備和應(yīng)用。

### AFN7400S32RG-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AFN7400S32RG-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 48mΩ @ VGS = 2.5V
 - 40mΩ @ VGS = 4.5V
 - 36mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **移動(dòng)設(shè)備**:
  AFN7400S32RG-VB 可以應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備的電源管理和充放電控制,確保高效能和長(zhǎng)電池壽命。

2. **電源管理**:
  在需要高效率和低功耗的電源管理系統(tǒng)中,如筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的電源轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器中,該 MOSFET 可以有效控制和調(diào)節(jié)電流。

3. **消費(fèi)電子**:
  適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品,如數(shù)碼相機(jī)、游戲控制器和音頻設(shè)備,用于電池驅(qū)動(dòng)和電源開關(guān)控制。

4. **醫(yī)療設(shè)備**:
  在便攜式醫(yī)療設(shè)備和健康監(jiān)測(cè)器件中,AFN7400S32RG-VB 可以用作電池管理和電源開關(guān),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠性。

5. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,如傳感器驅(qū)動(dòng)和數(shù)據(jù)采集單元,該 MOSFET 可以用于電路保護(hù)和電源管理,提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

通過(guò)以上示例可以看出,AFN7400S32RG-VB MOSFET 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別適合需要高效能和低電阻的多種電子設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景。

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