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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AFP3981TS6RG-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AFP3981TS6RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### AFP3981TS6RG-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AFP3981TS6RG-VB 是一款雙 P-Channel MOSFET,采用 SOT23-6 封裝。它支持最大 -20V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±12V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 -0.6V。采用 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在不同柵源電壓下的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 分別為:
- 100mΩ @ VGS = 2.5V
- 75mΩ @ VGS = 4.5V

最大漏極電流 (ID) 為 -4A,適合用于負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### AFP3981TS6RG-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: AFP3981TS6RG-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 雙 P-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 100mΩ @ VGS = 2.5V
 - 75mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  AFP3981TS6RG-VB 可用作電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān),適用于便攜式電子設(shè)備、手機(jī)和平板電腦等需要高效率電源管理的設(shè)備中。

2. **充電管理**:
  在電池充電管理電路中,該 MOSFET 可以用于充電開關(guān)和電池保護(hù)電路,確保充電過程的安全和高效率。

3. **消費(fèi)電子**:
  適用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品,如智能家居設(shè)備、便攜式音頻設(shè)備和手持式工具,用于電池管理和電源開關(guān)控制。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,AFP3981TS6RG-VB 可用于車載電源管理和控制系統(tǒng),提升車輛電子系統(tǒng)的性能和能效。

5. **工業(yè)控制**:
  用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源開關(guān)和電路保護(hù),確保設(shè)備在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠性。

AFP3981TS6RG-VB MOSFET 在多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用中都能發(fā)揮重要作用,特別是需要高效能、高性能和可靠性的電子控制和電源管理系統(tǒng)中。

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