--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-P+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AM3829P-T1-PF-VB 產(chǎn)品簡介
AM3829P-T1-PF-VB 是一款雙P溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝技術(shù)。該器件設(shè)計用于功率管理和電源開關(guān)應(yīng)用,結(jié)合了P溝道和N溝道MOSFET的優(yōu)勢,適合要求高效率和空間緊湊設(shè)計的電子系統(tǒng)。
### AM3829P-T1-PF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:SOT23-6
- **配置**:雙P+P溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-20V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-0.6V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 90mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**:-4A
- **技術(shù)**:溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例
#### 電源管理
AM3829P-T1-PF-VB 在電源管理領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用,特別適合用于低壓電源和電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)和逆變器。其雙P溝道設(shè)計結(jié)合了高效能和緊湊封裝,適用于需要高效率和小型化設(shè)計的應(yīng)用場景。
#### 電池保護(hù)和管理
該MOSFET可用于電池保護(hù)電路和充放電管理系統(tǒng),以確保電池的安全性和長壽命。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其成為電池保護(hù)模塊中的理想選擇,可以有效地管理電池的充電和放電過程。
#### 載波通信設(shè)備
在無線通信和載波設(shè)備中,AM3829P-T1-PF-VB 可用于功率放大器和射頻開關(guān)。其快速開關(guān)特性和低壓降有助于減少能量損耗,并提升設(shè)備的傳輸效率和信號質(zhì)量。
#### 可穿戴設(shè)備
對于小型和便攜式電子設(shè)備,如智能手表和健康追蹤器,該MOSFET可用于電源管理和電路控制。其緊湊的封裝和低功耗特性有助于延長電池壽命,并優(yōu)化設(shè)備的性能和用戶體驗。
通過以上應(yīng)用實例,AM3829P-T1-PF-VB 展示了其在多個領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用和優(yōu)越性能,為各種電子系統(tǒng)的設(shè)計提供了靈活和高效的解決方案。
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