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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AM3904N-T1-PF-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AM3904N-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:AM3904N-T1-PF-VB

**型號:** AM3904N-T1-PF-VB  
**封裝:** SOT23-6  
**結(jié)構(gòu):** 雙N+N溝道  
**漏極-源極電壓(VDS):** 20V  
**柵極-源極電壓(VGS):** ±12V  
**閾值電壓(Vth):** 0.5~1.5V  
**導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 28mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V  
**漏極電流(ID):** 6A  
**技術(shù):** Trench(溝槽型)  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **電氣特性:**
  - **靜態(tài)參數(shù):**
    - 漏極-源極電壓(VDS):20V
    - 柵極-源極電壓(VGS):±12V
    - 閾值電壓(Vth):0.5~1.5V
    - 漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
      - 28mΩ @ VGS=2.5V
      - 22mΩ @ VGS=4.5V
    - 最大漏極電流(ID):6A

2. **封裝和配置:**
  - 封裝形式:SOT23-6
  - 結(jié)構(gòu)類型:雙N+N溝道

3. **技術(shù)特性:**
  - 采用溝槽型MOSFET技術(shù)

### 應(yīng)用示例:

AM3904N-T1-PF-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊的示例包括:

- **電源管理:** 在需要高效率和低功耗的電源管理系統(tǒng)中,用于開關(guān)電源和功率轉(zhuǎn)換器。
- **電池保護(hù):** 在便攜式電子設(shè)備中,如智能手機(jī)和平板電腦,用于電池保護(hù)和充放電管理。
- **電動工具:** 作為電動工具中電機(jī)驅(qū)動的開關(guān)元件,因?yàn)槟軌蛱幚砀唠娏骱洼^低的導(dǎo)通電阻。
- **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,用于電池管理、電動汽車的電動機(jī)驅(qū)動和車輛動力控制。

這些示例展示了AM3904N-T1-PF-VB在多種需要高電流、高效率和可靠性的應(yīng)用中的潛在應(yīng)用價值。

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