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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AM4920M8R-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AM4920M8R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、AM4920M8R-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AM4920M8R-VB是一款先進(jìn)的雙N+N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用SOP8封裝。它具有高性能的雙溝道設(shè)計(jì),適用于要求高效能和高可靠性的電路應(yīng)用。AM4920M8R-VB采用了Trench技術(shù),能夠在較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下提供低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性。

### 二、AM4920M8R-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:SOP8
- **配置**:雙N+N-溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS=4.5V
 - 10mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:13.5A
- **技術(shù)類(lèi)型**:Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

AM4920M8R-VB MOSFET適用于多種領(lǐng)域和模塊,具體應(yīng)用包括:

1. **電源管理模塊**:由于其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性,AM4920M8R-VB適合用于高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。這些模塊需要能夠處理高電流和提供穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電動(dòng)車(chē)輛充電管理**:在電動(dòng)車(chē)充電管理系統(tǒng)中,AM4920M8R-VB可以作為充電器和電池管理單元中的開(kāi)關(guān)器件。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高充電效率和減少能量損失。

3. **工業(yè)自動(dòng)化控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,AM4920M8R-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和高電流負(fù)載的開(kāi)關(guān)控制。其穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性確保了設(shè)備的可靠運(yùn)行和長(zhǎng)期性能。

4. **筆記本電腦和平板電腦電源管理**:在便攜式電子設(shè)備中,AM4920M8R-VB可以用于電池管理和電源管理模塊,幫助延長(zhǎng)電池壽命并提升系統(tǒng)效率。

通過(guò)這些應(yīng)用例子可以看出,AM4920M8R-VB是一款高性能、多功能的MOSFET,適用于需要高電流處理和低功耗設(shè)計(jì)的多種電子和電氣領(lǐng)域。

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