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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AON4421-VB一款Single-P溝道DFN8(3X2)-B的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AON4421-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X2)-B
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、AON4421-VB產(chǎn)品簡介

AON4421-VB是一款單P溝道MOSFET,采用DFN8(3X2)-B封裝,適用于中功率和低壓負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。該器件具有-30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)和-1.5V的閾值電壓(Vth)。在VGS為10V時,其導(dǎo)通電阻為30mΩ,支持最大-5.1A的漏極電流(ID)。采用Trench技術(shù)制造,具備較低的導(dǎo)通電阻和良好的熱特性,適合于需要高效能和中等功率的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

### 二、AON4421-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:DFN8(3X2)-B
- **配置**:單P溝道
- **漏源電壓(VDS)**:-30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:30mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:-5.1A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

AON4421-VB MOSFET適用于多種中功率和低壓負(fù)載開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域:

1. **電源管理**:
  - **電池保護(hù)開關(guān)**:用于便攜式電子設(shè)備和電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和電源保護(hù)。

2. **電動汽車**:
  - **電動汽車電池管理**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,用于負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)。

3. **消費(fèi)類電子**:
  - **移動設(shè)備**:在智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備中,用于電源管理和負(fù)載開關(guān)控制。

4. **工業(yè)控制**:
  - **中功率開關(guān)控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,用于中功率負(fù)載的高效控制和開關(guān)操作。

AON4421-VB MOSFET以其中等功率處理能力、低導(dǎo)通電阻和良好的熱特性,特別適用于需要高效能和可靠性的負(fù)載開關(guān)和電源管理應(yīng)用場合。

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