--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP4224LGM-VB是一款高性能雙N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流處理能力,專為各種高效能量管理和開關(guān)控制應(yīng)用設(shè)計(jì),適合用于需要緊湊封裝和高性能的電子設(shè)備。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:SOP8
- **配置**:雙N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±12V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **消費(fèi)電子產(chǎn)品電源管理**:
AP4224LGM-VB非常適合用于筆記本電腦、平板電腦和智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。它可以作為DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)的主要功率元件,確保電源的高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出,提高設(shè)備的電池使用時(shí)間和整體性能。
2. **便攜式電源和移動(dòng)設(shè)備**:
該MOSFET適用于便攜式電源和移動(dòng)設(shè)備的電池管理系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于優(yōu)化電池的充放電過程,延長(zhǎng)電池壽命,并確保設(shè)備在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **工業(yè)控制和自動(dòng)化設(shè)備**:
在工業(yè)控制和自動(dòng)化設(shè)備中,AP4224LGM-VB可以用于電源控制和驅(qū)動(dòng)電路,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和傳感器接口。其高性能特性確保了設(shè)備在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運(yùn)行,適用于機(jī)器人控制、工業(yè)自動(dòng)化和智能制造系統(tǒng)。
綜上所述,AP4224LGM-VB具備優(yōu)異的電性能和高度可靠性,適用于多種需要高效能量管理和高電流處理能力的電子和電氣設(shè)備,為各種應(yīng)用提供了穩(wěn)定、高效的解決方案。
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