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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP4502GM-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP4502GM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、AP4502GM-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP4502GM-VB是一款高性能的雙N+P溝道MOSFET,采用SOP8封裝,旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備中對(duì)功率管理和開(kāi)關(guān)控制的需求。該器件結(jié)合了先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,特別適用于緊湊型和高效能的電路設(shè)計(jì)。

### 二、AP4502GM-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:±20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:12V(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:
 - N溝道:1.0V
 - P溝道:-1.2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - 10mΩ @ VGS = 2.5V
   - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - P溝道:
   - 20mΩ @ VGS = 2.5V
   - 16mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**:
 - N溝道:15A
 - P溝道:-8.5A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊應(yīng)用舉例

AP4502GM-VB在多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用模塊中都能發(fā)揮其優(yōu)越性能,具體如下:

1. **電源管理**:在電源適配器、開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理系統(tǒng)中,AP4502GM-VB可以用于高效的功率開(kāi)關(guān),確保電能的穩(wěn)定傳輸和轉(zhuǎn)換。

2. **消費(fèi)電子**:在智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦等便攜式設(shè)備中,該MOSFET的雙N+P溝道設(shè)計(jì)可優(yōu)化電池管理系統(tǒng),提高設(shè)備的續(xù)航能力和電能利用率。

3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,如電動(dòng)門窗、電動(dòng)座椅和車載娛樂(lè)系統(tǒng),AP4502GM-VB能夠提供可靠的功率控制和電流管理,支持復(fù)雜的電氣操作和控制。

4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,該器件可用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和執(zhí)行器,確保高效的電能轉(zhuǎn)換和精準(zhǔn)的控制信號(hào)傳遞。

5. **通信設(shè)備**:在路由器、基站和其他通信設(shè)備中,AP4502GM-VB可用于功率放大器和信號(hào)處理電路,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效性能。

綜上所述,AP4502GM-VB以其雙N+P溝道結(jié)構(gòu)、低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,廣泛應(yīng)用于各種需要高效能和可靠性的電子電路和設(shè)備中,為現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了卓越的解決方案。

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