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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP4511GH-A-VB一款Common Drain-N+P溝道TO252-4L的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP4511GH-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252-4L
  • 溝道 Common Drain-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、AP4511GH-A-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP4511GH-A-VB是一款雙N+P溝道MOSFET,采用TO252-4L封裝,適用于高電壓應(yīng)用中的功率管理和開(kāi)關(guān)控制。該器件結(jié)合了先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,能夠在各種要求嚴(yán)格的電路設(shè)計(jì)中提供穩(wěn)定和可靠的性能。

### 二、AP4511GH-A-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:TO252-4L
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:±60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓 (Vth)**:
 - N溝道:1.8V
 - P溝道:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - 33mΩ @ VGS = 4.5V
   - 30mΩ @ VGS = 10V
 - P溝道:
   - 60mΩ @ VGS = 4.5V
   - 50mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:
 - 最大值:
   - N溝道:35A
   - P溝道:-19A
- **技術(shù)類(lèi)型**:Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊應(yīng)用舉例

AP4511GH-A-VB在多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用模塊中展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力和性能優(yōu)勢(shì):

1. **電源管理和轉(zhuǎn)換器**:在高壓電源適配器、開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AP4511GH-A-VB作為功率開(kāi)關(guān)器件,能夠處理大電流和高壓,適用于需要高效能和穩(wěn)定性能的電源管理系統(tǒng)。

2. **工業(yè)電子**:在工業(yè)控制設(shè)備和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,該器件可用于電機(jī)控制、電流驅(qū)動(dòng)和高壓開(kāi)關(guān),支持工業(yè)自動(dòng)化過(guò)程中的精確控制和高效能要求。

3. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,如電動(dòng)汽車(chē)的電池管理、電動(dòng)馬達(dá)控制和電動(dòng)車(chē)充電系統(tǒng)中,AP4511GH-A-VB能夠提供可靠的電流控制和功率開(kāi)關(guān)功能。

4. **通信設(shè)備**:在高頻率通信設(shè)備、基站和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,作為功率放大器和開(kāi)關(guān),AP4511GH-A-VB能夠提供快速響應(yīng)和高效能的電力管理解決方案。

綜上所述,AP4511GH-A-VB通過(guò)其雙N+P溝道設(shè)計(jì)、高壓承載能力和優(yōu)異的導(dǎo)通特性,適用于多種高性能、高效能和高壓要求的電子應(yīng)用領(lǐng)域,是電路設(shè)計(jì)中的重要組成部分。

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