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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP4539GM-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AP4539GM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP4539GM-VB 是一種具有雙通道配置的MOSFET,采用SOP8封裝,結(jié)合了N溝道和P溝道技術(shù)。該器件設(shè)計(jì)用于高效的開關(guān)應(yīng)用,特別適用于需要低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的場(chǎng)合。其主要特征包括30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS),以及通過優(yōu)化的溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)的低導(dǎo)通電阻。這使得AP4539GM-VB在各種電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙通道(N溝道 + P溝道)
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V(N溝道),-1.7V(P溝道)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:13mΩ @ VGS=4.5V;11mΩ @ VGS=10V
 - P溝道:28mΩ @ VGS=4.5V;21mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:10A(N溝道),-8A(P溝道)
- **技術(shù)**:溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:AP4539GM-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其非常適用于電源管理模塊中。這些模塊需要高效地轉(zhuǎn)換電能,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。該MOSFET可以在開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中找到廣泛應(yīng)用。

2. **負(fù)載開關(guān)**:在需要快速切換和低損耗的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,AP4539GM-VB同樣表現(xiàn)優(yōu)異。其低RDS(ON)特性確保了開關(guān)時(shí)的功率損耗最小化,非常適合用于便攜式設(shè)備的電源開關(guān)以及計(jì)算機(jī)和服務(wù)器中的高效能開關(guān)電路。

3. **電動(dòng)工具和消費(fèi)電子產(chǎn)品**:由于其高電流處理能力和可靠的性能,AP4539GM-VB也適用于電動(dòng)工具和消費(fèi)電子產(chǎn)品。這些應(yīng)用通常需要可靠的電源控制和管理,而該器件可以確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和效率。

通過這些領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用,AP4539GM-VB展示了其作為高性能MOSFET的多功能性和可靠性,滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)低功耗、高效率和高穩(wěn)定性的要求。

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