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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP55T10GH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP55T10GH-HF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):

AP55T10GH-HF-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于高電壓和大電流的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件具有高 VDS(100V)和低 RDS(ON) 的特性,結(jié)合了先進(jìn)的 Trench 技術(shù),適合要求高效能和高可靠性的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

### 2. 詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類(lèi)型**: TO252
- **通道類(lèi)型**: 單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通時(shí)的靜態(tài)電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 10V: 18mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 最大值 45A
- **技術(shù)特點(diǎn)**: Trench 結(jié)構(gòu),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和熱穩(wěn)定性

### 3. 應(yīng)用示例:

- **高效電源供應(yīng)**: AP55T10GH-HF-VB 的高電流承載能力和低 RDS(ON) 特性,使其在高效電源供應(yīng)系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,可以降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率。

- **電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)**: 在電動(dòng)汽車(chē)充電樁和電池管理系統(tǒng)中,該器件可以用于功率開(kāi)關(guān)和電池保護(hù),確??焖俪潆姷耐瑫r(shí)提供可靠的保護(hù)。

- **太陽(yáng)能逆變器**: AP55T10GH-HF-VB 在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用,可以有效地進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換和電能管理,提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。

這些示例展示了 AP55T10GH-HF-VB 在不同領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,體現(xiàn)了其在高電壓功率開(kāi)關(guān)和電源管理中的重要性和實(shí)用性。

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