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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AP60N03GJ-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP60N03GJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì):

AP60N03GJ-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO251 封裝,適用于需要高電流和低導(dǎo)通電阻的功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件結(jié)合了高 VDS(30V)和極低的 RDS(ON),采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),適合要求高效能和高可靠性的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

### 2. 詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類(lèi)型**: TO251
- **通道類(lèi)型**: 單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通時(shí)的靜態(tài)電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 4.5V: 4.5mΩ
 - @ VGS = 10V: 3.5mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 最大值 100A
- **技術(shù)特點(diǎn)**: Trench 結(jié)構(gòu),提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和熱穩(wěn)定性

### 3. 應(yīng)用示例:

- **電源模塊**: AP60N03GJ-VB 可以用于電源模塊中的高電流開(kāi)關(guān),例如服務(wù)器電源單元和電源管理模塊,確保高效能和可靠性。

- **電動(dòng)工具**: 在電動(dòng)工具和家用電器的電源開(kāi)關(guān)系統(tǒng)中,該器件能夠提供足夠的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,保證設(shè)備的高性能和長(zhǎng)壽命。

- **電動(dòng)汽車(chē)**: 在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,AP60N03GJ-VB 可以用作功率開(kāi)關(guān)器件,支持高效率的能量轉(zhuǎn)換和快速充電。

這些示例展示了 AP60N03GJ-VB 在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用潛力,體現(xiàn)了其在高電流功率開(kāi)關(guān)和電源管理中的重要性和實(shí)用性。

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