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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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APM4538KC-TRL-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: APM4538KC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、APM4538KC-TRL-VB 產(chǎn)品簡介

APM4538KC-TRL-VB 是一款高性能的雙N+P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝形式為SOP8。此MOSFET設(shè)計用于提供高效能的開關(guān)控制,具有對稱的N溝道和P溝道配置,適合各種雙向開關(guān)應(yīng)用。器件具備±30V的漏源電壓 (VDS)、±20V的柵源電壓 (VGS)、高達(dá)±8A的連續(xù)漏電流 (ID),以及在不同柵源電壓下的低導(dǎo)通電阻。其設(shè)計目標(biāo)是實現(xiàn)低功耗和高效能的電流管理,特別適用于需要雙向開關(guān)控制的應(yīng)用場景。

### 二、APM4538KC-TRL-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:
 - N溝道:1.6V
 - P溝道:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道 @ VGS = 4.5V:24mΩ
 - P溝道 @ VGS = 4.5V:50mΩ
 - N溝道 @ VGS = 10V:18mΩ
 - P溝道 @ VGS = 10V:40mΩ
- **連續(xù)漏電流 (ID)**:±8A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

APM4538KC-TRL-VB 的特性使其在多種應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)出色:

1. **電源管理**:
  - **H橋驅(qū)動電路**:在H橋電機驅(qū)動電路中,雙N+P溝道MOSFET可實現(xiàn)高效的電流控制,支持雙向電機驅(qū)動和精確的速度控制。
  - **電源開關(guān)**:在電源管理系統(tǒng)中,能夠高效地切換電源通路,減少功耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **消費電子**:
  - **移動設(shè)備**:如智能手機、平板電腦的電源管理模塊,利用雙N+P溝道的配置,實現(xiàn)電源切換和電池保護功能。
  - **可穿戴設(shè)備**:適用于智能手表和健康監(jiān)測設(shè)備,提供高效的電源管理和雙向開關(guān)控制。

3. **汽車電子**:
  - **車載控制系統(tǒng)**:在汽車的各種控制模塊中(如車燈、窗戶電動調(diào)節(jié)等),利用雙N+P溝道MOSFET實現(xiàn)高效的開關(guān)控制和負(fù)載管理。
  - **電動驅(qū)動系統(tǒng)**:用于電動汽車的電機控制,支持雙向電流流動和精確控制。

4. **工業(yè)控制**:
  - **自動化設(shè)備**:在工業(yè)自動化設(shè)備中,如PLC控制系統(tǒng),提供高效的開關(guān)控制和負(fù)載開關(guān)功能。
  - **電源保護**:用于電源保護電路,避免過流和過壓情況,確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。

APM4538KC-TRL-VB 的雙N+P溝道設(shè)計和高性能特性使其在多個高效能應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適用于各種需要雙向開關(guān)控制和電源管理的場景。

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