### 產(chǎn)品簡介

APT10M25BVR-VB 是一種單 N 溝道 MOSFET，封裝在 TO247 外殼中。該器件采用溝槽技術(shù)制造，設(shè)計(jì)用于處理高電壓和高電流應(yīng)用。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在要求高功率和高效能量管理的場合中表現(xiàn)優(yōu)異。APT10M25BVR-VB 提供了卓越的開關(guān)性能和可靠性，適用于各種電源管理和負(fù)載開關(guān)任務(wù)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**：TO247
- **配置**：單通道（N溝道）
- **漏源電壓 (VDS)**：100V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
 - VGS = 10V: 18mΩ
- **漏極電流 (ID)**：72A
- **技術(shù)**：溝槽技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**：
  - APT10M25BVR-VB 適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和其他高電壓電源管理應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠高效地處理大功率和高電壓的電源，提升整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：
  - 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，該 MOSFET 能夠提供強(qiáng)大的電流控制，適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。其高電流承載能力和低 RDS(ON) 確保了電機(jī)驅(qū)動(dòng)過程中的高效能量傳輸和穩(wěn)定控制。

3. **負(fù)載開關(guān)**：
  - APT10M25BVR-VB 可以用于高功率負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，能夠可靠地控制大電流負(fù)載。其低導(dǎo)通電阻有助于減少開關(guān)過程中的功率損耗，從而提高系統(tǒng)的能效和可靠性。

4. **電池管理系統(tǒng)**：
  - 在電池保護(hù)和充電管理系統(tǒng)中，該 MOSFET 可用于控制電池的充電和放電過程。其高電壓和高電流承載能力能夠有效地管理電池的工作狀態(tài)，保護(hù)電池免受過流和過熱的損害，確保電池系統(tǒng)的安全和高效運(yùn)行。

APT10M25BVR-VB 的高電壓和高電流能力，使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中處理高功率和高電流應(yīng)用的理想選擇，尤其是在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載控制等領(lǐng)域。