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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AUIRFL014N-VB一款Single-N溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AUIRFL014N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### AUIRFL014N-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

AUIRFL014N-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 SOT223 封裝。該器件設(shè)計(jì)用于中等功率應(yīng)用,具有較高的耐壓和較低的導(dǎo)通電阻。其最大漏極-源極電壓(VDS)為 60V,門極-源極電壓(VGS)為 ±20V。AUIRFL014N-VB 采用了先進(jìn)的槽溝(Trench)技術(shù),具有優(yōu)良的開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通電阻,適合用于需要高效率和穩(wěn)定性的電子設(shè)備中。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: SOT223
- **配置**: 單 N 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**: 60V
- **VGS(門極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth(閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 76mΩ @ VGS = 10V
- **ID(連續(xù)漏極電流)**: 4.5A
- **技術(shù)**: 槽溝技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域舉例

AUIRFL014N-VB MOSFET 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)使其適合用于多個(gè)中等功率電子應(yīng)用中。以下是一些適用領(lǐng)域和模塊的示例:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**: 在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,AUIRFL014N-VB 的低導(dǎo)通電阻和高耐壓性能可以提高電源轉(zhuǎn)換效率,減少功耗,并確保穩(wěn)定的電源輸出。

2. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,AUIRFL014N-VB 可以用于電池的充放電控制,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,并減少能量損耗,從而提高電池的使用效率和壽命。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)器**: 在 LED 驅(qū)動(dòng)器中,該 MOSFET 能夠處理適中的電流負(fù)載,為 LED 提供穩(wěn)定的電流,同時(shí)保持高效的開關(guān)性能和低功耗。

4. **電機(jī)控制**: 在電機(jī)控制應(yīng)用中,AUIRFL014N-VB 可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)元件,能夠處理中等電流,確保電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行和可靠控制。

5. **通信設(shè)備**: 在通信設(shè)備的電源管理中,AUIRFL014N-VB 提供高效的開關(guān)性能,適用于各種通信模塊的電源管理和控制電路。

6. **消費(fèi)電子**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式設(shè)備中,AUIRFL014N-VB 可以用作電源開關(guān)和電流控制,幫助提高設(shè)備的性能和電池續(xù)航能力。

這些應(yīng)用示例展示了 AUIRFL014N-VB MOSFET 在中等功率應(yīng)用中的廣泛適用性和高效能,能夠滿足各種電子設(shè)備的需求。

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