### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AUIRFR5305TR-VB 是一款采用 TO252 封裝的單極性 P 溝道 MOSFET，具備高達(dá) -60V 的漏源電壓和 -50A 的連續(xù)漏電流能力。它采用了 Trench 技術(shù)，具有低 RDS(ON) 值，適合于需要高開關(guān)效率的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 參數(shù)說明
- **型號(hào)**：AUIRFR5305TR-VB
- **封裝**：TO252
- **配置**：?jiǎn)螛O性 P 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**：-60V
- **柵源電壓 (VGS)**：20V (±)
- **柵源閾值電壓 (Vth)**：-1.7V
- **RDS(ON)**：25mΩ (VGS = 4.5V)，20mΩ (VGS = 10V)
- **漏電流 (ID)**：-50A
- **技術(shù)**：Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
AUIRFR5305TR-VB 的高電流能力和低 RDS(ON) 值使其非常適合用于高功率開關(guān)和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。例如，在負(fù)載開關(guān)模塊中，它能夠提供低導(dǎo)通電阻，降低功耗；在逆變器和電源管理系統(tǒng)中，它可以有效提升開關(guān)效率，保證系統(tǒng)穩(wěn)定性；在電池管理系統(tǒng)中，它能夠高效地控制電流流向，優(yōu)化電池的充放電過程。