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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AUIRFR8403TRR-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AUIRFR8403TRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**AUIRFR8403TRR-VB** 是一款高性能單N通道MOSFET,采用TO252封裝,具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和超低導(dǎo)通電阻。其最大漏極源極電壓(VDS)為40V,門(mén)源極電壓(VGS)范圍為±20V。門(mén)檻電壓(Vth)為3V,確保在適中門(mén)電壓下即可導(dǎo)通。該MOSFET在VGS=4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為3mΩ,在VGS=10V時(shí)降至1.6mΩ,具有極低的導(dǎo)通損耗。最大連續(xù)漏極電流(ID)為120A,采用Trench技術(shù)制造,適合于高效能和高電流應(yīng)用。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AUIRFR8403TRR-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極源極電壓(VDS)**: 40V
- **最大門(mén)源極電壓(VGS)**: ±20V
- **門(mén)檻電壓(Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 1.6mΩ @ VGS=10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高功率電源開(kāi)關(guān)**: 由于其超低導(dǎo)通電阻,AUIRFR8403TRR-VB非常適合用于高功率電源開(kāi)關(guān)模塊,能夠顯著減少功耗和發(fā)熱,提高系統(tǒng)效率。

2. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可以有效控制充電和放電過(guò)程中的高電流流動(dòng),優(yōu)化電池性能并延長(zhǎng)其壽命。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AUIRFR8403TRR-VB的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠提高轉(zhuǎn)換效率,降低能量損失。

4. **電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**: 在電動(dòng)汽車或電動(dòng)工具的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該MOSFET能夠穩(wěn)定處理高電流需求,提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

5. **逆變器**: 在逆變器應(yīng)用中,AUIRFR8403TRR-VB可以處理高電流和高效率要求的逆變過(guò)程,適合用于光伏逆變器和其他高功率逆變應(yīng)用。

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