### 產(chǎn)品簡介

**型號**: AULR3636-VB  
**封裝**: TO252  
**配置**: 單極性N溝道MOSFET  
**耐壓**: 60V  
**門源電壓**: ±20V  
**閾值電壓**: 3V  
**導通電阻**:  
- 12mΩ @ V_GS = 4.5V  
- 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
**最大漏電流**: 97A  
**技術**: 溝槽型

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: AULR3636-VB  
- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 60V  
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V  
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 12mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏電流 (I_D)**: 97A  
- **技術類型**: 溝槽型技術

### 應用領域與模塊示例

1. **電源管理模塊**  
  AULR3636-VB 的低導通電阻和高漏電流能力使其非常適合用于高效的電源管理系統(tǒng)，特別是在需要高電流和低功耗損耗的場景下。

2. **電動汽車控制系統(tǒng)**  
  該MOSFET的高耐壓和低R_DS(ON)特性使其適合用于電動汽車的電源轉換和電機驅動模塊，以提供穩(wěn)定可靠的功率控制。

3. **開關電源**  
  在開關電源設計中，AULR3636-VB 可以用于提高轉換效率和減少熱量，因其具有低導通電阻和高電流承載能力。

4. **LED驅動電路**  
  由于其高電流能力和低導通電阻，適用于LED驅動電路中的開關元件，可以有效減少能量損耗并提升LED的工作效率。