### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào)**: B120NH03L-VB  
**封裝**: TO263  
**配置**: 單極性N溝道MOSFET  
**耐壓**: 30V  
**門源電壓**: ±20V  
**閾值電壓**: 1.7V  
**導(dǎo)通電阻**:  
- 2.7mΩ @ V_GS = 4.5V  
- 2.4mΩ @ V_GS = 10V  
**最大漏電流**: 98A  
**技術(shù)**: 溝槽型

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: B120NH03L-VB  
- **封裝類型**: TO263  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 30V  
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (V_th)**: 1.7V  
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 2.7mΩ @ V_GS = 4.5V
 - 2.4mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏電流 (I_D)**: 98A  
- **技術(shù)類型**: 溝槽型技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**  
  B120NH03L-VB 的低導(dǎo)通電阻和高漏電流能力使其非常適合用于高效能的DC-DC轉(zhuǎn)換器，提升系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率并減少功耗損失。

2. **電源管理系統(tǒng)**  
  在電源管理系統(tǒng)中，該MOSFET的高電流能力和低R_DS(ON) 特性可以用于電流開(kāi)關(guān)，優(yōu)化功率分配和保護(hù)電路。

3. **功率放大器**  
  由于其低導(dǎo)通電阻，B120NH03L-VB 可用于功率放大器的開(kāi)關(guān)模塊，以提升信號(hào)放大效能并減少能量浪費(fèi)。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**  
  適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)中，能夠提供高電流支持和低功耗開(kāi)關(guān)，確保電機(jī)運(yùn)行穩(wěn)定和高效。