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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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B210L-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): B210L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

B210L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封裝為 TO263,設(shè)計(jì)用于高電流和高效率應(yīng)用。該 MOSFET 支持 30V 的漏源電壓(VDS)和 150A 的最大漏極電流(ID),在 VGS 為 4.5V 和 10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為 3.2mΩ 和 2.3mΩ。采用 Trench 技術(shù),這款 MOSFET 提供極低的導(dǎo)通阻抗,適用于要求高功率密度和低功耗的電路設(shè)計(jì)。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

- **型號(hào)**: B210L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單管 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**: 
 - 3.2mΩ(VGS=4.5V 時(shí))
 - 2.3mΩ(VGS=10V 時(shí))
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)**: Trench

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**

1. **高功率開(kāi)關(guān)電源 (High-Power Switching Power Supplies)**: 由于其超低導(dǎo)通電阻和高電流能力,B210L-VB 適用于高功率開(kāi)關(guān)電源,能夠提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,并降低熱量產(chǎn)生。

2. **電動(dòng)汽車(chē) (Electric Vehicles)**: 在電動(dòng)汽車(chē)的電池管理和動(dòng)力控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 提供高電流處理能力,確保系統(tǒng)的高效性和可靠性。

3. **工業(yè)設(shè)備 (Industrial Equipment)**: 適用于需要高電流和低功耗的工業(yè)設(shè)備,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **電源管理系統(tǒng) (Power Management Systems)**: B210L-VB 在電源管理系統(tǒng)中能夠有效控制高電流負(fù)載,提供高效的性能和穩(wěn)定性。

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