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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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B284L-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): B284L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**

B284L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封裝為 TO263,設(shè)計(jì)用于中高電壓和高電流應(yīng)用。該 MOSFET 提供 80V 的漏源電壓(VDS)和 120A 的最大漏極電流(ID),在 VGS 為 4.5V 和 10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為 10mΩ 和 6mΩ。采用 Trench 技術(shù),這款 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通阻抗和優(yōu)良的開關(guān)特性,非常適合高功率密度和高效率的電子電路設(shè)計(jì)。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**

- **型號(hào)**: B284L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單管 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**: 
 - 10mΩ(VGS=4.5V 時(shí))
 - 6mΩ(VGS=10V 時(shí))
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**

1. **高功率開關(guān)電源 (High-Power Switching Power Supplies)**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,B284L-VB 適用于高功率開關(guān)電源,能顯著提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率,并減少熱量散發(fā)。

2. **電動(dòng)汽車 (Electric Vehicles)**: 在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和動(dòng)力控制模塊中,這款 MOSFET 能處理高電流負(fù)載,提供高效的性能和穩(wěn)定性。

3. **工業(yè)設(shè)備 (Industrial Equipment)**: 適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高功率開關(guān)應(yīng)用,能夠提供可靠的開關(guān)性能和高電流承載能力,提升系統(tǒng)整體性能。

4. **電源管理系統(tǒng) (Power Management Systems)**: B284L-VB 在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,低 RDS(on) 能提高系統(tǒng)的能效,減少功率損耗和熱量。

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