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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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B482L-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: B482L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### B482L-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

B482L-VB 是一款高性能單N通道MOSFET,封裝在TO-263外殼中。該MOSFET設(shè)計(jì)用于要求高功率處理和高效開關(guān)的應(yīng)用場合。其最大漏極-源極電壓(VDS)為80V,柵極-源極電壓(VGS)容差為±20V,提供了廣泛的適應(yīng)性。器件具有較高的閾值電壓(Vth),為3V,但仍能確保在低電壓柵極信號下可靠驅(qū)動。B482L-VB的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))非常低,在VGS = 4.5V時為10mΩ,在VGS = 10V時為6mΩ,適用于需要大電流處理的應(yīng)用,其連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)到120A。該MOSFET采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提高了其性能,特別是在低導(dǎo)通電阻和高效率方面。

### B482L-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型:** TO-263
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 80V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時為 10mΩ
 - VGS = 10V 時為 6mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 120A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### B482L-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域

B482L-VB MOSFET 的高性能特性使其適用于多種高要求的應(yīng)用。例如,在電動汽車行業(yè)中,這款MOSFET可以用作動力傳動系統(tǒng)中的開關(guān)元件,處理高電流且保持高效能。在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,B482L-VB適合用于高功率電源模塊,如高端計(jì)算機(jī)電源供應(yīng)器中,以降低功耗并提升電源轉(zhuǎn)換效率。此外,它還可以用于工業(yè)設(shè)備的電機(jī)控制和電源管理系統(tǒng)中,因其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。最后,該MOSFET也適用于可再生能源系統(tǒng),比如太陽能逆變器,通過提高系統(tǒng)的效率和降低能量損失來優(yōu)化能源利用。

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