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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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B55NF06-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): B55NF06-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

B55NF06-VB 是一款高電壓、高電流單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。該MOSFET的漏源電壓(VDS)達(dá)到60V,柵源電壓(VGS)為20V(±)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,具備低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),分別為12mΩ(VGS = 4.5V)和11mΩ(VGS = 10V),支持高達(dá)75A的漏極電流(ID)。B55NF06-VB 利用Trench技術(shù)制造,具有優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和功率處理能力,非常適合需要高電壓和高電流處理的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:TO263
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS = 4.5V
 - 11mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:75A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  在電源管理系統(tǒng)中,B55NF06-VB 能夠處理較高電壓和電流,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源開(kāi)關(guān)等模塊,提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**:
  B55NF06-VB 非常適合用于電動(dòng)汽車(chē)中的高電壓電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,提供可靠的電流控制和高效的功率傳輸。

3. **工業(yè)設(shè)備**:
  在工業(yè)控制和驅(qū)動(dòng)設(shè)備中,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和功率調(diào)節(jié)器,B55NF06-VB 可以有效地處理高功率負(fù)載,確保系統(tǒng)的可靠性和長(zhǎng)壽命。

4. **通信設(shè)備**:
  在通信設(shè)備的電源管理模塊中,B55NF06-VB 能處理較高的電壓和電流,適用于大功率放大器的電源開(kāi)關(guān),改善設(shè)備的性能和效率。

5. **家用電器**:
  B55NF06-VB 適合用于高功率家用電器中,如高功率電熱設(shè)備和大功率電機(jī)控制,提供穩(wěn)定的電流控制和低功耗運(yùn)行。

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