### B80NF55-08-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

B80NF55-08-VB 是一款高性能單N通道MOSFET，封裝在TO-263外殼中。該MOSFET設(shè)計(jì)用于需要高電流和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。它的最大漏極-源極電壓（VDS）為60V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V。具有較高的閾值電壓（Vth），為3V，這使得該MOSFET在低柵極電壓下仍能可靠啟動(dòng)。B80NF55-08-VB 的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在VGS = 10V 時(shí)為4mΩ，提供了極低的功耗。其連續(xù)漏極電流（ID）高達(dá)150A，適合處理大電流需求。該MOSFET采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提高了其開(kāi)關(guān)性能和總體能效。

### B80NF55-08-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型:** TO-263
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 10V 時(shí)為 4mΩ
- **連續(xù)漏極電流 (ID):** 150A
- **技術(shù):** 溝槽技術(shù)

### B80NF55-08-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域

B80NF55-08-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域表現(xiàn)出色。例如，在電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，該MOSFET 可以用于高效能的電源開(kāi)關(guān)，處理大電流同時(shí)保持低能量損耗。在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域，它可以作為電機(jī)控制器中的開(kāi)關(guān)元件，確保高效和穩(wěn)定的電流供應(yīng)。在工業(yè)應(yīng)用中，B80NF55-08-VB 適用于高功率電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，能夠處理高電流負(fù)荷并減少系統(tǒng)的能量損失。該MOSFET 還可用于高功率LED驅(qū)動(dòng)器和其他高效能電子設(shè)備中，提升設(shè)備的整體性能和能效。