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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC018NE2LS-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC018NE2LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
BSC018NE2LS-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET,適用于低電壓、高電流應(yīng)用。其具有 30V 的漏極-源極耐壓、20V 的柵極-源極耐壓、以及 1.7V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 4.5V 的柵極驅(qū)動電壓下,具有 2.5mΩ 的導(dǎo)通電阻,在 10V 的柵極驅(qū)動電壓下則為 1.8mΩ。其最大漏極電流可達 160A,采用先進的 Trench 技術(shù)制造,適合高性能的電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說明
- **型號**: BSC018NE2LS-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSC018NE2LS-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**: 在高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,用于高效電流傳輸和開關(guān)操作。
- **電動汽車**: 在電動汽車的動力系統(tǒng)中,作為高電流開關(guān),處理電池和電機之間的功率轉(zhuǎn)換。
- **計算機和服務(wù)器**: 用于高性能計算系統(tǒng)中的電源模塊,優(yōu)化電源分配和熱管理。
- **工業(yè)控制**: 在工業(yè)設(shè)備中作為高電流開關(guān),確??煽康碾娫辞袚Q和負載控制。

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