**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**
BSC025N03LS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。該器件采用 Trench 技術(shù)，具備超低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，非常適合高密度、高性能的電子設(shè)計(jì)需求。
**2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
- 1.8mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: Trench
**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**
BSC025N03LS G-VB 適用于高電流密度的電源管理應(yīng)用，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率調(diào)節(jié)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED 驅(qū)動(dòng)電路和高效能電源系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在高效能電源轉(zhuǎn)換和管理中表現(xiàn)卓越，有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性。
