### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSC030N04NS G-VB是一款高性能單管N溝道MOSFET，采用DFN8 (5x6)封裝。該MOSFET具備40V的漏極-源極耐壓、20V的柵極-源極耐壓以及3V的門(mén)檻電壓。使用Trench技術(shù)制造，具有非常低的導(dǎo)通電阻，適合高電流和高效率的應(yīng)用環(huán)境。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSC030N04NS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 40V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門(mén)檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10V柵極驅(qū)動(dòng)下: 2mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSC030N04NS G-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊：

1. **電源轉(zhuǎn)換**: 由于其極低的導(dǎo)通電阻和高電流能力，非常適合用于高效電源轉(zhuǎn)換器和電流管理系統(tǒng)。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件，以提高系統(tǒng)效率并減少功率損耗。
3. **電動(dòng)汽車(chē)**: 用于電動(dòng)汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，提供高效的開(kāi)關(guān)控制。
4. **高功率開(kāi)關(guān)**: 在高功率開(kāi)關(guān)電源和電力分配系統(tǒng)中，用于高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

這種MOSFET的高電流能力和低導(dǎo)通電阻，使其在要求高效能和高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。