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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC076N06NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC076N06NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BSC076N06NS3 G-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

BSC076N06NS3 G-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù),封裝為DFN8 (5x6) 外殼。它具有高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,非常適合用于高效能電力轉(zhuǎn)換和功率管理應(yīng)用中。其緊湊的封裝設(shè)計使其在空間受限的應(yīng)用場景中尤為適用。

### 詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號**: BSC076N06NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 7mΩ @ VGS = 4.5V
 - 6mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### DC-DC轉(zhuǎn)換器
BSC076N06NS3 G-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中。作為同步整流器,它能夠提供高效的電力轉(zhuǎn)換,減少功率損耗,提高整個電源系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

#### 電機驅(qū)動器
在電機驅(qū)動應(yīng)用中,BSC076N06NS3 G-VB 可以用作H橋電路中的開關(guān)元件。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效控制電機,提供平穩(wěn)的電機操作,提升電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率和響應(yīng)速度。

#### 汽車電子
BSC076N06NS3 G-VB 適用于汽車電子系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用,例如電池管理系統(tǒng)和電動驅(qū)動系統(tǒng)。它的高電流承載能力和低功耗特性可以幫助管理和優(yōu)化電池充放電過程,確保汽車電子系統(tǒng)在各種工作條件下的穩(wěn)定運行。

#### 計算機和通信設(shè)備
在計算機和通信設(shè)備中,BSC076N06NS3 G-VB 可以用于電源管理模塊和電力轉(zhuǎn)換電路。它的緊湊封裝和優(yōu)異性能使其在空間受限的設(shè)備中尤為重要,確保設(shè)備的高效能和穩(wěn)定性。

BSC076N06NS3 G-VB MOSFET 以其優(yōu)良的電氣特性和緊湊封裝設(shè)計,廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、汽車電子系統(tǒng)及計算機和通信設(shè)備等領(lǐng)域,為高效能電力電子系統(tǒng)的設(shè)計提供了強大的支持。

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