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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC080P03LS G-VB一款Single-P溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC080P03LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

BSC080P03LS G-VB是一款高性能單P溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝。它采用Trench技術(shù),設(shè)計用于需要低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET在-30V的漏源極電壓下運行,適合用于高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:BSC080P03LS G-VB
- **封裝**:DFN8(5X6)
- **配置**:單P溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:-30V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:-3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ(@VGS=4.5V)
 - 4mΩ(@VGS=10V)
- **漏極電流(ID)**:-120A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

BSC080P03LS G-VB MOSFET因其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于多種高效能和高電流應(yīng)用。以下是一些具體應(yīng)用的示例:

1. **電源開關(guān)**:
  在電源開關(guān)應(yīng)用中,BSC080P03LS G-VB能夠提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,提高電源轉(zhuǎn)換效率。它適用于電源開關(guān)電路和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的負(fù)載開關(guān),幫助降低功率損耗和提高系統(tǒng)效率。

2. **電動汽車電池保護(hù)**:
  在電動汽車電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電池保護(hù)和負(fù)載開關(guān)。其高電流能力和低RDS(ON)特性能夠有效地管理電池的電流流動,確保電池系統(tǒng)的安全和高效運行。

3. **高功率LED驅(qū)動**:
  在高功率LED照明系統(tǒng)中,BSC080P03LS G-VB可以用來控制和驅(qū)動LED燈具。其低導(dǎo)通電阻有助于提高LED的亮度和壽命,適合于高功率LED燈具的高效能驅(qū)動。

4. **工業(yè)設(shè)備**:
  該MOSFET適用于需要高電流控制的工業(yè)設(shè)備,如工業(yè)電機(jī)和加熱系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,BSC080P03LS G-VB提供了可靠的開關(guān)控制和高效的電流管理,確保工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定運行。

5. **便攜式設(shè)備電源管理**:
  在便攜式電子設(shè)備中,BSC080P03LS G-VB能夠用于電源管理模塊,控制電池的充放電過程。其高電流處理能力和低功耗特性有助于提高設(shè)備的整體性能和電池壽命。

這些應(yīng)用示例展示了BSC080P03LS G-VB MOSFET在各種高電流和高效能應(yīng)用中的重要性和廣泛適用性。

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