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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC094N03S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC094N03S G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

BSC094N03S G-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用DFN8(5X6)封裝,專為需要低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的應(yīng)用設(shè)計。它使用Trench技術(shù),具備高效的開關(guān)性能和穩(wěn)定的電流控制,廣泛應(yīng)用于電源管理、負載開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **型號**:BSC094N03S G-VB
- **封裝**:DFN8(5X6)
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:30V
- **柵源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 9mΩ(@VGS=4.5V)
 - 7mΩ(@VGS=10V)
- **漏極電流(ID)**:80A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽技術(shù))

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

BSC094N03S G-VB MOSFET因其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,在多個領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。以下是一些具體應(yīng)用的示例:

1. **電源開關(guān)**:
  在電源開關(guān)應(yīng)用中,BSC094N03S G-VB MOSFET能夠提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于電源開關(guān)電路和DC-DC轉(zhuǎn)換器。其低RDS(ON)特性有助于減少功率損耗,提高電源的效率和穩(wěn)定性。

2. **電動汽車電池管理**:
  在電動汽車電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET能夠處理高電流負載,提供穩(wěn)定的電流控制和電池保護功能。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了電池系統(tǒng)的高效、安全運行。

3. **高功率LED驅(qū)動**:
  在高功率LED照明系統(tǒng)中,BSC094N03S G-VB用于LED驅(qū)動和開關(guān)控制。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗,提升LED的亮度和壽命,適用于高效能的LED照明解決方案。

4. **工業(yè)電機控制**:
  在工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于電機的啟動、運行和停止控制。其高電流處理能力和低RDS(ON)確保了電機驅(qū)動系統(tǒng)的高效性和可靠性,適合用于各種工業(yè)電機控制應(yīng)用。

5. **消費電子設(shè)備**:
  BSC094N03S G-VB也適用于消費電子設(shè)備中的電源管理模塊,例如智能手機和筆記本電腦。它能夠提供高效的電源開關(guān)和電流控制,提升設(shè)備的性能和電池壽命。

這些應(yīng)用示例展示了BSC094N03S G-VB MOSFET在高電流和高效能應(yīng)用中的廣泛適用性和重要性。

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