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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC205N10LS G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC205N10LS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):BSC205N10LS G-VB**

BSC205N10LS G-VB是一款單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝,利用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。該MOSFET具有較高的電壓耐受能力和良好的電流處理能力,適合用于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。BSC205N10LS G-VB支持高達(dá)100V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),門檻電壓(Vth)為1.8V,能夠在較低的柵極電壓下可靠開啟。該MOSFET在10V柵極電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為17mΩ,能夠提供高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流(ID)。這些特性使其適合用于中等電流和高電壓的應(yīng)用中。

### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSC205N10LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 100V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **門檻電壓(Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - @VGS = 10V: 17mΩ
- **連續(xù)漏極電流(ID)**: 30A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**電源管理系統(tǒng)**:BSC205N10LS G-VB在電源管理系統(tǒng)中的應(yīng)用廣泛,其高電壓耐受能力和適中的導(dǎo)通電阻使其適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電源供應(yīng)單元。該MOSFET能夠有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率,適合在計(jì)算機(jī)電源、消費(fèi)電子電源和通信設(shè)備電源中使用。

**電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)中,BSC205N10LS G-VB能夠處理中等電流和高電壓需求。盡管其電流處理能力不及一些高電流MOSFET,但在電動(dòng)汽車的電池管理和輔助電路中仍然能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,并有效降低功耗。

**LED驅(qū)動(dòng)器**:BSC205N10LS G-VB適用于中等功率的LED照明應(yīng)用,其適中的導(dǎo)通電阻能夠減少功耗和熱量,提升LED的效率和使用壽命。該MOSFET非常適合在LED驅(qū)動(dòng)模塊和高亮度LED照明系統(tǒng)中使用。

**工業(yè)電源**:在工業(yè)電源應(yīng)用中,BSC205N10LS G-VB能夠處理中等電流負(fù)載,適合用于變頻器和工業(yè)電源供應(yīng)單元。雖然其電流能力相對(duì)較低,但在需要高電壓耐受性和穩(wěn)定開關(guān)性能的工業(yè)應(yīng)用中仍然表現(xiàn)出色。

**開關(guān)電路**:在需要中等電流和高電壓開關(guān)的電路中,如功率轉(zhuǎn)換模塊和電機(jī)控制系統(tǒng),BSC205N10LS G-VB能夠提供可靠的開關(guān)性能。其高電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻使其在這些應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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