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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSH204-VB一款Single-P溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSH204-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
BSH204-VB 是一款單通道 P 溝道 MOSFET,采用 SOT23-3 封裝,適用于低電壓電源開關(guān)和負(fù)載控制。它具備 -20V 的漏極-源極耐壓、±12V 的柵極-源極耐壓和 -0.8V 的柵極閾值電壓。該 MOSFET 在 2.5V 的柵極驅(qū)動電壓下,導(dǎo)通電阻為 80mΩ,在 4.5V 下為 65mΩ,在 10V 下為 60mΩ。最大漏極電流為 -4A,采用 Trench 技術(shù),提供了優(yōu)良的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。

### 參數(shù)說明
- **型號**: BSH204-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單通道 P 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±12V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -0.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 80mΩ @ VGS = 2.5V
 - 65mΩ @ VGS = 4.5V
 - 60mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域
BSH204-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源開關(guān)**: 在小型電源管理系統(tǒng)中作為開關(guān)元件,提供低導(dǎo)通電阻和高效能控制。
- **負(fù)載開關(guān)**: 在移動設(shè)備或便攜式電子產(chǎn)品中,控制低電壓負(fù)載的開關(guān)操作。
- **電池管理**: 在電池供電的設(shè)備中進(jìn)行負(fù)載切換和電源控制,提高系統(tǒng)效率。
- **消費電子**: 用于小型消費電子產(chǎn)品中,如智能手機(jī)和便攜式音響的電源開關(guān),確??煽康碾娫垂芾怼?/p>

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