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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSO040N03MS G-VB一款Single-N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSO040N03MS G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSO040N03MS G-VB** 是一款高性能單通道 N 型 MOSFET,封裝形式為 SOP8。該器件設(shè)計(jì)用于低電壓、高電流應(yīng)用,最大漏極電流為 18A,漏極-源極耐壓為 30V。具有較低的 RDS(ON)(4mΩ @ VGS=10V),能夠顯著降低功耗和熱量。其閾值電壓為 1.7V,柵極-源極耐壓為 ±20V,采用溝道工藝(Trench),提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSO040N03MS G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: 溝道工藝 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSO040N03MS G-VB** 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:在高效電源轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊中使用,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,適合用于高功率電源管理。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:用于高電流電機(jī)控制系統(tǒng),如電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和工業(yè)電機(jī),支持高效的開(kāi)關(guān)控制。
3. **汽車電子**:應(yīng)用于汽車電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān),如電動(dòng)座椅、窗戶調(diào)節(jié)和電動(dòng)門鎖。
4. **電池充電**:用于電池充電器和電池管理系統(tǒng)中,提供高效的開(kāi)關(guān)控制,優(yōu)化充電過(guò)程。
5. **數(shù)據(jù)中心電源**:在數(shù)據(jù)中心的電源模塊中應(yīng)用,支持高電流開(kāi)關(guān),滿足高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)處理需求。

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