**1. 產(chǎn)品簡介：**
BSO051N03MS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOP8。采用 Trench 技術，具有極低的導通電阻和良好的電流處理能力，適合用于高密度和高效能的電子應用。
**2. 詳細參數(shù)說明：**
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ（在 VGS=4.5V 時）
- 4mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術**: Trench
**3. 應用領域舉例：**
BSO051N03MS G-VB 適用于高電流和高效能的電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉換器、功率調(diào)節(jié)模塊、電機驅動、電源開關和LED驅動電路。其低導通電阻和高電流處理能力使其在需要高效率和高功率的應用中表現(xiàn)優(yōu)異，尤其適合用于高效能電源轉換和管理場景。
