**產品簡介：**
BSO064N03S-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOP8，適用于中低電壓開關應用。其 VDS（漏極-源極最大電壓）為 30V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達到 13A。該 MOSFET 采用溝槽型工藝技術，具有低導通電阻（RDS(ON) 為 11mΩ 在 VGS=4.5V 時，8mΩ 在 VGS=10V 時），適合用于需要高效能和高電流的開關電路。

**詳細參數說明：**
- **封裝**: SOP8
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 11mΩ @ VGS = 4.5V；8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 13A
- **技術**: 溝槽型工藝

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源管理**：在 DC-DC 轉換器和電源開關應用中，BSO064N03S-VB 的低 RDS(ON) 特性能夠減少功耗，提高轉換效率，適合用于高電流電源設計。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電池管理和電機驅動系統(tǒng)中，該 MOSFET 能處理較高的電流負載，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。
3. **工業(yè)控制**：用于工業(yè)設備的負載開關和控制系統(tǒng)中，BSO064N03S-VB 的高電流能力和低導通電阻使其成為高效能開關應用的理想選擇。